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HTIP117 参数 Datasheet PDF下载

HTIP117图片预览
型号: HTIP117
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE200204
发行日期: 2000年8月1日
修订日期: 2002年1月18日
页页次: 1/3
HTIP117
PNP外延平面晶体管
描述
该HTIP117设计用于一般用途的放大器和低使用
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-220
最高温度
储存温度........................................................................................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................................ 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(Tc=25°C)................................................................................................. 50瓦
总功率耗散(Ta=25°C)................................................................................................... 2 W
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .................................................. -100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ............................................... -100 V
BVEBO发射器基极电压...................................................................................................... -5 V
IC集电极电流(Continue)........................................................................................................ -4 A
IC集电极电流(Peak).............................................................................................................. -6 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
COB
分钟。
-100
-100
-
-
-
-
-
1
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-1
-2
-2
-2.5
-2.8
-
-
200
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
pF
测试条件
IC=-1mA
IC=-30mA
VCB=-100V
VCE=-50V
VEB=-5V
IC = -2A , IB = -8mA
IC = -2A , VCE = -4V
IC = -1A , VCE = -4V
IC = -2A , VCE = -4V
VCB = -10V , F =为0.1MHz
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
达林顿示意图
C
B
R1
R2
E
HTIP117
HSMC产品规格