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HTIP125 参数 Datasheet PDF下载

HTIP125图片预览
型号: HTIP125
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6730 -B
发行日期: 1997年8月13日
修订日期: 1999年8月1日
页页次: 1/3
HTIP125
PNP外延平面晶体管
描述
该HTIP125是专为中等功率线性和开关
应用程序。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 65瓦
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ .............................................. 2 W
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ -60V。
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... -60V。
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
IC集电极电流............................................................................................................. -5 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
* BVCEO
ICEO
ICBO
IEBO
*VCE(sat1)
*VCE(sat)2
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
COB
分钟。
-60
-60
-
-
-
-
-
-
1000
1000
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-0.5
-0.2
-2
-2
-4
-2.5
-
-
300
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
测试条件
IC = -1mA , IE = 0
IC = -100mA , IB = 0
VCE = -30V , IE = 0
VCE = -60V , IB = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -3A , IB = -12mA
IC = -5A , IB = -20mA
IC = -3A , VCE = -3V
IC = -0.5A , VCE = -3V
IC = -3A , VCE = -3V
VCB = -10V , F =为0.1MHz , IE = 0
FP
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格