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HTIP32C 参数 Datasheet PDF下载

HTIP32C图片预览
型号: HTIP32C
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 36 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6724
发行日期: 1993年1月13日
修订日期: 2002年1月17日
页页次: 1/3
HTIP32C
PNP外延平面晶体管
描述
该HTIP32C设计用于一般用途的放大器的使用和
开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-220
最高温度
存储Temperature............................................................................................. -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ..................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................. 40瓦
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ............................................... 2 W
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... -100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... -100 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. -5 V
IC收藏家Current.............................................................................................................. -3 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICEO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
分钟。
-100
-100
-
-
-
-
-
25
10
3
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
45
-
-
马克斯。
-
-
-200
-300
-1
-1.2
-1.8
-
50
-
单位
V
V
uA
uA
mA
V
V
测试条件
IC = -1mA , IE = 0
IC = -30mA , IB = 0
VCE=-100V
VCE=-60V
VEB=-5V
IC = -3A , IB = -375mA
IC = -3A , VCE = -4V
IC = -1A , VCE = -4V
IC = -3A , VCE = -4V
IC = -0.5A , VCE = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
HTIP32C
HSMC产品规格