HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 2001年3月1日
修订日期： 2001年3月29日
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HTL294D
PNP外延平面晶体管
描述
该HTL294D设计用于应用需要高电压。
特点
•
高击穿电压： 400 （分钟） ，在IC = 1毫安
•
高电流： IC = 300毫安25℃
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................... 1.5瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ -400 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... -400 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -6 V
IC集电极电流..................................................................................................... -250毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
冰
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
*hFE3
ft
COB
分钟。
-400
-400
-6
-
-
-
-
-
-
50
60
50
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-10
-0.2
-300
-500
-750
-
250
-
-
30
单位
V
V
V
uA
uA
uA
mV
mV
mV
测试条件
IC = -100uA ， IE = 0
IC = -1mA ， IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -400V ， IE = 0
VCE = -400V ， IC = 0
VEB = -6V ， VBE = 0
IC = -10mA ， IB = -1mA
IC = -50mA ， IB = -5mA
IC = -10mA ， IB = -1mA
VCE = -10V ， IC = -1mA
VCE = -10V ， IC = -20mA
VCE = -10V ， IC = -80mA
VCE = -20V ， IE = -10mA ， F = 1MHz的
VCB = -20V ， F = 1MHz时， IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HTL294D
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
