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HTL295I 参数 Datasheet PDF下载

HTL295I图片预览
型号: HTL295I
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号:初步数据
发行日期: 2000年12月21日
修订日期: 2001年3月23日
页页次: 1/3
HTL295I
PNP外延平面晶体管
描述
该HTL295I是专为高电压小功率开关
特别适用于电话和电信用途的应用
电路。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ..................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ .............................................. 1 W
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................ -500 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ..................................... -500 V
VEBO发射器基极电压............................................. ............................................... -6 V
IC集电极电流..................................................................................................... -250毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VCE(sat)3
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
-500
-500
-6
-
-
-
-
-
-
50
60
50
10
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-10
-0.2
-500
-2
-3
-750
-
250
-
-
30
单位
V
V
V
uA
uA
uA
mV
V
V
mV
测试条件
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE=-10uA
VCB = -500V , IE = 0
VCE = -500V , IB = 0
VEB = -6V , IC = 0
IC = -10mA , IB = -1mA
IC = -50mA , IB = -5mA
IC = -80mA , IB = -4mA
IC = -10mA , IB = -1mA
VCE = -10V , IC = -1mA
VCE = -10V , IC = -20mA
VCE = -10V , IC = -80mA
VCE = -20V , IE = -10mA , F = 1MHz的
VCB = -20V , F = 1MHz时, IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HTL295I
HSMC产品规格