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     IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    FQP3P20

     功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-2.8 A，2.7 Ω，TO-220
    局域网PC开关脉冲晶体管
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     Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, FRFET®, 650 V , 40 A, 82 mΩ, TO-247 fast recovery
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    80-M1126PA010M7-K217F7

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
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