DDR VDDQ和VTT终端电压稳压器
特点
两个线性稳压器
- 从VDDQ最大电流2A
- 源和吸收高达2A的电流VTT
1.7V至2.8V的可调输出VDDQ电压
0.85V至1.4V的VTT输出电压（跟踪在50％的
VDDQ ）
缓冲VREF输出
500mV的典型压差VDDQ电压为2A
优异的负载和线路调整，低噪声
符合JEDEC DDR -I和DDR -II内存电源规范
线性稳压器的设计，无需电感器和具有
低外部元件数量
集成的功率MOSFET
两用ADJ /关断引脚
启用VTT引脚睡眠或挂起到RAM功能
内置过流限制和热关断
VDDQ和VTT
快速瞬态响应
低静态电流
TDFN - 8 PKG
TJ3212
SOP- 8 PKG
SOP- 16 PKG
订购信息
应用
DDR内存和Active终止巴士
台式电脑，服务器
住宅和企业网关
DSL调制解调器
路由器和交换机
DVD刻录机，液晶电视和机顶盒
3D AGP显卡
设备
TJ3212Q
TJ3212DP
TJ3212D
包
TDFN-8
SOP-8
SOP-16
DESCRIPSION
该TJ3212是一个双输出型低噪声线性稳压器的设计，以满足SSTL -2， SSTL- 3规格
DDR-SDRAM的VDDQ供应和终端电压VTT电源。具有集成功率MOSFET的TJ3212
可以提供高达2A的连续VDDQ电流和源出或吸入高达2A的VTT连续电流。该
典型压差电压VDDQ 500mV的是，在2A的负载电流。
该TJ3212提供了极好的满负荷调节和快速响应瞬态负载变化。它还具有内置
在过电流限制和在170℃下热关断。
该TJ3212支持挂起到RAM （ STR）和ACPI符合其关断模式三态VTT
尽量减少静态电流的系统。
该TJ3212可节省空间的TDFN - 8和SOIC - 8表面贴装封装。低热
性使他们能够承受较高的功耗在85 ° C的环境温度。该TJ3212可以通过操作
工业环境温度范围为-40 ° C至85°C 。
2011年3月 - 初步
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1
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HTC
HTC [ HTC KOREA TAEJIN TECHNOLOGY CO. ]
