2SA1 1 62
晶体管（ PNP ）
SOT-23
特点
。低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（最大）
。补充2SC2712 。
。小包装。
标记： SO ， SY ， SG
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
参数
1.基地
2.辐射源
3.收集
价值
-50
-50
-5
-150
150
125
-55-125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
TEST
条件
民
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
70
400
-0.3
80
7
10
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
I
C
= -100u A，I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
= -100 ü A，I
C
=0
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-2mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-6V,I
c
=0.1mA,
f=1KHZ,Rg=10KΩ
分类
秩
范围
h
FE
O
70-140
Y
120-240
GR （ G）
200-400
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５
HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
