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    2SA1203 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1203图片预览
    型号： 2SA1203
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 182 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    2SA1 203
    SOT-89-3L
    晶体管（ PNP ）
    1.基地
    特点
    补充2SC2883
    小扁包
    音频放大器应用
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    -30
    -30
    -5
    -1.5
    500
    250
    150
    -55~+150
    2.收集
    3.辐射源
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    集电极输出电容
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    C
    ob
    f
    T
    TEST
    条件
    民
    -35
    -30
    -5
    -100
    -100
    100
    320
    -2
    -1
    50
    120
    V
    V
    pF
    兆赫
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    I
    C
    = -1mA ，我
    E
    =0
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =-1mA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =-30V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =-5V,I
    C
    =0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-500mA
    I
    C
    =-1.5A,I
    B
    =-30mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-500mA
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    = -500mA
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    记号
    O
    100–200
    HO1
    Y
    160–320
    HY1
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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