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型号: 2SA1298
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内容描述: TR ANSISTOR ( PNP ) [TR ANSISTOR(PNP)]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 299 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
2SA1 298
晶体管( PNP )
SOT–23
特点
低频功率放大器的应用
电源具有结构转换的应用
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-35
-30
-5
-800
200
625
150
-55�½�+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
-35
-30
-5
-0.1
-0.1
100
40
-0.5
-0.8
-0.5
120
13
V
V
兆赫
pF
320
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-20mA
V
CB
=-1V,I
C
=-10mA,
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类h及
FE(1)
范围
记号
O
100–200
Y
160–320
IO
IY
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05