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    2SA812 参数 Datasheet PDF下载

    2SA812图片预览
    型号： 2SA812
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 363 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SA812的Datasheet PDF文件第2页  
    2SA8 1 2
    晶体管（ PNP ）
    特点
    补充2SC1623
    高直流电流增益：H
    FE
    = 200 TYP 。 （V
    CE
    =-6V,I
    C
    =-1mA)
    高电压： V
    首席执行官
    =-50V
    SOT-23
    单位：mm
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    -60
    -50
    -5
    -100
    200
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    TEST
    条件
    民
    -60
    -50
    -5
    -0.1
    -0.1
    90
    600
    -0.3
    -0.58
    180
    4.5
    -0.68
    V
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    =-100
    μ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = - 60 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = - 6V ，我
    C
    = -1mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    I
    C
    = -1mA ，V
    CE
    =-6V
    V
    CE
    =-6V,
    I
    C
    = -10mA
    μ
    A
    μ
    A
    f
    T
    C
    ob
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    记号
    １　
    金隅
    M4
    90-180
    M4
    M5
    135-270
    M5
    M6
    200-400
    M6
    M7
    300-600
    M7
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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