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2SB1132 参数 Datasheet PDF下载

2SB1132图片预览
型号: 2SB1132
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 344 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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2SB1 1 32
晶体管( PNP )
特点
低V
CE ( SAT )
: -0.2V (典型值)I
C
/I
B
=-500mA/-50mA
恭维2SD1664
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-40
-32
-5
-1
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
-40
-32
-5
-0.5
-0.5
82
-0.2
150
20
30
390
-0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-50μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-50μA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-50mA,f=30MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类h及
FE
范围
记号
P
82-180
BAP
Q
120-270
BAQ
R
180-390
BAR
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05