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2SB1188 参数 Datasheet PDF下载

2SB1188图片预览
型号: 2SB1188
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 290 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号2SB1188的Datasheet PDF文件第2页  
2SB1 1 8 8
晶体管( PNP )
SOT-89
特点
低V
CE ( SAT )
.
补充2SD1766
1.基地
1
2.收集
2
3.辐射源
3
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基
电压
价值
-40
-32
-5
-2
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
跃迁频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
TEST
条件
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.8
100
50
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50μA ,我
C
=0
V
CB
= -20 V,I
E
=0
V
EB
=-4 V ,
V
CE
=-3V,
I
C
=0
I
C
= -0.5A
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
CE
= -5V ,我
C
= -0.5A , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
f
T
C
ob
OF
h
FE
P
82-180
BCP
*
利用脉冲电流测量。
分类
范围
记号
1 
金隅
Q
120-270
BCQ
R
180-390
BCR
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05