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    2SB1218A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1218A图片预览
    型号： 2SB1218A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 299 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    2SB1 21 8的
    晶体管（ PNP ）
    特点
    高直流电流增益
    补充2SD1819A
    应用
    通用放大
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    -45
    -45
    -7
    -100
    150
    833
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    SOT–323
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    TEST
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-2mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    V
    CE
    =-10V,I
    E
    = 1mA时， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    80
    2.7
    160
    条件
    民
    -45
    -45
    -7
    -100
    -100
    -100
    460
    -0.5
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    µA
    nA
    分类
    h
    FE
    秩
    范围
    记号
    Q
    160–260
    BQ1
    R
    210–340
    BR1
    S
    290–460
    BS1
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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