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    2SC3052 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3052图片预览
    型号： 2SC3052
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 823 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SC3052的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3052的Datasheet PDF文件第3页  
    2SC3052
    晶体管（ NPN ）
    特点
    低集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    = 0.3V最大值（ @I
    C
    =100mA,I
    B
    =10mA)
    直流正向电流增益出色的线性度
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    50
    50
    6
    0.2
    150
    125
    -55-125
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    SOT-23
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    噪声系数
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （SAT）
    V
    BE （SAT）
    除非
    TEST
    另有规定）
    条件
    I
    E
    =0
    民
    50
    50
    6
    0.1
    0.1
    150
    50
    0.3
    1
    180
    V
    V
    兆赫
    800
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = 100
    μ
    A,
    I
    C
    = 100
    μ
    A，I
    B
    =0
    I
    E
    = 100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 50 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 6V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 0.1毫安
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    = 10毫安
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    = 10毫安
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 6V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    =6V,I
    E
    = -0.1mA中，f = 1KHz时，R
    G
    =2KΩ
    μ
    A
    μ
    A
    f
    T
    C
    ob
    NF
    4
    15
    pF
    dB
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    记号
    E
    150~300
    LE
    F
    250~500
    LF
    G
    400~800
    LG
    １　
    金隅
    半导体
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