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型号: 2SC4097
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 334 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
2SC4097
晶体管( NPN )
特点
高I
CMAX
. I
CMAX
=0.5A
低V
CE ( SAT )
.Optimal用于低电压操作。
补充2SA1577
SOT-323
3
1
2
1.基地
2.辐射源
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
40
32
5
500
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
3.收集
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
TEST
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=20V,I
E
=0
V
EB
=4V,I
C
=0
V
CE
=3V,I
C
=10mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 5V ,我
C
= 20mA时, F = 100MHz的
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHZ
250
6
82
条件
40
32
5
1
1
390
0.4
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
分类
范围
记号
h
FE
P
82-180
CP
Q
120-270
CQ
R
180-390
CR
1 
金隅
半导体
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