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型号: 2SC4177
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 454 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
2SC4177
晶体管( NPN )
特点
高直流电流增益
补充2SA1611
高压
应用
通用放大
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
60
50
5
100
150
833
150
-55�½�+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
SOT–323
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CE
= 6V ,我
C
=10mA
V
CB
= 6V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
0.55
250
3
90
条件
60
50
5
100
100
600
0.3
1
0.65
V
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
*脉冲测试:脉冲宽度≤350μs ,值班cycle≤ 2.0 % 。
分类
h
FE
范围
记号
L4
90–180
L4
L5
135–270
L5
L6
200–400
L6
L7
300–600
L7
1 
金隅
半导体
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