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型号: 2SC4548
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR(NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 334 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
2SC4548
SOT-89-3L
晶体管( NPN )
1.基地
特点
小扁包
高的击穿电压
优秀ħ
FE
线性
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
400
400
5
200
500
250
150
-55~+150
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
400
400
5
0.1
0.1
60
200
0.6
1
70
4
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
=10µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=10µA,I
C
=0
V
CB
=300V,I
E
=0
V
EB
=4V,I
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
I
C
=50mA,I
B
=5mA
I
C
=50mA,I
B
=5mA
V
CE
=30V,I
C
=10mA
V
CB
= 30V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类
h
FE
范围
记号
D
60–120
CN
E
100–200
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com