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2SD1119 参数 Datasheet PDF下载

2SD1119图片预览
型号: 2SD1119
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 509 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号2SD1119的Datasheet PDF文件第2页  
2SD1119
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温
储存温度
价值
40
25
7
3
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
晶体管( NPN )
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
在高效率的良好运行性能与低
电压供电。
1
2
3
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
V
CE
= 2V ,我
C
=2A
I
C
= 3A ,我
B
=0.1A
V
CE
= 6V ,我
C
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= 20V , F = 1MHz的
150
50
150
1
V
兆赫
pF
TEST
条件
40
25
7
0.1
0.1
230
600
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 10V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
分类
范围
记号
1 
金隅
h
FE(1)
Q
230-380
TQ
R
340-600
TR
半导体
www.htsemi.com