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    2SD1664 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1664图片预览
    型号： 2SD1664
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 747 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SD1664的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1664的Datasheet PDF文件第3页  
    2S
    D1664
    晶体管（ NPN ）
    特点
    低V
    CE （ SAT ）
    , V
    CE （ SAT ）
    =0.15V(typical).(I
    C
    /I
    B
    =500mA/50mA)
    补充到2SB1132
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基
    电压
    价值
    40
    32
    5
    1
    500
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    SOT-89
    1.
    BASE
    2.
    集热器
    3.
    辐射源
    1
    2
    3
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    TEST
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =100mA
    I
    C
    = 0.5A ，我
    B
    =50mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 50mA时F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    150
    15
    82
    条件
    民
    40
    32
    5
    0.5
    0.5
    390
    0.4
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    分类
    秩
    范围
    记号
    h
    FE
    P
    82-180
    DAP
    Q
    120-270
    DAQ
    R
    180-390
    DAR
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com

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