2SD1898 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1898
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内容描述：	晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 311 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SD1898

晶体管（ NPN ）

特点

高击穿电压和电流

出色的直流电流增益线性度

补充2SB1260

低集电极 - 发射极饱和电压

SOT-89-3L

1.基地

2.收集

3.辐射源

最大额定值（T

= 25℃除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

从结点到环境的热阻

结温

储存温度

价值

100

500

250

150

-55~+150

单位

℃/W

℃

电气特性（T

= 25 ℃除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

TEST

条件

民

100

390

0.4

兆赫

典型值

最大

单位

µA

=50µA,I

=1mA,I

=50µA,I

=80V,I

=4V,I

= 3V ，我

=500mA

=500mA,I

=20mA

=10V,I

= 50mA时F = 100MHz的

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

分类

秩

范围

记号

82–180

120–270

180–390

１　

金隅

半导体

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