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2SD2098 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD2098
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内容描述: 优良的直流电流增益特性补充了2SB1386 [Excellent DC current gain characteristics Complements the 2SB1386]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 798 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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2SD2098
特点
优良的直流电流增益特性
补充2SB1386
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
50
20
6
5
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
分类
范围
记号
h
FE
Q
120-270
AHQ
R
180-390
AHR
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
50
20
6
0.5
0.5
120
390
1
150
30
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=50μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50μA, =0
V
CB
=40V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
I
C
=4A,I
B
=100mA
V
CE
=6V,I
C
=50mA,f=100MHz
V
CB
=20V,I
E
=0,f=1MHz
1 
金隅
半导体
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