2SD2142 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD2142
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内容描述：	TRANSISOR （ NPN ） [TRANSISOR (NPN)]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 428 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SD2142

TRANSISOR （ NPN ）

特点



对于高ħ达林顿连接



高输入阻抗

标记： R1M

SOT–23

1.基地

最大额定值（T

= 25℃除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

从结点到环境的热阻

结温

储存温度

价值

300

200

625

150

-55�½�+150

单位

℃/W

℃

2.辐射源

3.收集

电气特性（T

= 25 ℃除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

TEST

条件

民

0.1

5000

1.4

200

2.5

兆赫

典型值

最大

单位

µA

= 100μA ，我

= 10毫安，我

= 100μA ，我

= 30V ，我

= 12V，我

= 3V ，我

=100mA

=的200mA，我

=0.2mA

=5V,I

= 10毫安中，f = 100MHz的

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

１　

金隅

半导体

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