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    2SD596 参数 Datasheet PDF下载

    2SD596图片预览
    型号： 2SD596
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 629 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SD596的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD596的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD596
    晶体管（ NPN ）
    特点
    高直流电流增益。
    免费为2SB624
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    1.BASE
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    30
    25
    5
    700
    200
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    2.EMITTER
    3.COLLECTOR
    SOT-23
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    *
    h
    FE(2)
    *
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE
    *
    TEST
    条件
    I
    E
    =0
    民
    30
    25
    5
    0.1
    0.1
    110
    50
    0.6
    0.6
    170
    12
    0.7
    V
    V
    兆赫
    pF
    400
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    =100
    μ
    A,
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 30V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 100毫安
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 700毫安
    I
    C
    = 700毫安，我
    B
    =70mA
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    =6V,I
    E
    =0,f=10MH
    Z
    μ
    A
    μ
    A
    f
    T
    COB
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤350μs,Duty
    Cycle≤2%.
    分类h及
    FE(1)
    记号
    范围
    DV1
    110-180
    DV2
    135-220
    DV3
    170-270
    DV4
    200-320
    DV5
    250-400
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com

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