2SD965 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD965
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内容描述：	晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	1 页 / 334 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SD965

SOT-89-3L

晶体管（ NPN ）

1.基地

特点

低集电极 - 发射极饱和电压

大集电极耗散功率和电流

迷你功率型封装

最大额定值（T

= 25℃除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

从结点到环境的热阻

结温

储存温度

价值

750

167

150

-55~+150

2.收集

3.辐射源

单位

℃/W

℃

电气特性（T

= 25 ℃除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

FE(1)

FE(2)

FE(3)

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

CE （ SAT ）

TEST

条件

民

0.1

200

230

150

兆赫

800

典型值

最大

单位

µA

=100µA,I

=1mA,I

=10µA,I

=10V,I

=7V,I

= 2V ，我

=1mA

= 2V ，我

=500mA

= 2V ，我

=2A

=3A,I

=0.1A

VCE=6V,IC=50mA，

f=200MHz

= 20V ，我

= 0中，f = 1MHz的

分类

（

）

秩

范围

230–380

340–600

560–800

１　

金隅

半导体

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