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型号: 2SD999
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR(NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 337 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
2SD999
晶体管( NPN )
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
迷你功率型封装
出色的直流电流增益线性度
SOT-89-3L
1.基地
2.收集
3.辐射源
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
30
25
5
1
500
250
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
V
BE
*
f
T
C
ob
TEST
条件
30
25
5
0.1
0.1
90
50
0.4
1.2
0.6
130
22
0.7
V
V
V
兆赫
pF
400
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100µA,I
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=1A
I
C
=1A,I
B
=0.1A
I
C
=1A,I
B
=0.1A
V
CE
= 6V ,我
C
=10mA
V
CE
=6V,I
C
=10mA
V
CB
= 6V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤350μs,
占空比cycle≤ 2.0%。
分类
h
FE
1
范围
记号
CM
90–180
CM
CL
135–270
CL
CK
200–400
CK
1 
金隅
半导体
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