2SK3018 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK3018
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 974 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SK3018

N沟道增强型MOSFET

•特点

1）低导通电阻。

2 ）开关速度快。

3 ）低电压驱动（ 2.5V ）使这

器件理想用于便携式设备。

4 ）易于设计的驱动电路。

5 ）易于平行。

•外形尺寸

③

②

①

②

③

■应用

接口，开关（ 30V ，百毫安）

单位：mm

•结构

硅N沟道

MOSFET

SOT-23

SOT-323

①.

门

②.

来源

③.

漏

•绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

反向

当前

漏

连续

脉冲

连续

脉冲

•等效电路

范围

100

200

100

200

150

-55~+150

单位

°C

*门

保护

二极管

符号

DSS

GSS

DP*1

DRP*1

D*2

总胆固醇

TSTG

漏

门

总功率耗散（TC = 25℃）

通道温度

储存温度

来源

1Pw≤10μs ，职务Cycle≤50 ％

* 2With每个销装在推荐的土地

*保护二极管中包含的

栅极和源极端子，以保护

防静电二极管，当产品

正在使用中。使用一个保护电路，当固定

电压超标。

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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