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B5819W 参数 Datasheet PDF下载

B5819W图片预览
型号: B5819W
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内容描述: 肖特基二极管 [SCHOTTKY BARRIER DIODE]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 417 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号B5819W的Datasheet PDF文件第2页  
B5817W-5819W
肖特基二极管
特点
适用于低电压,高频率逆变器
续流和极性保护应用程序。
标记:
B5817W : SJ
B5818W : SK
B5819W : SL
最大额定值和电气特性,单二极管@T
A
=25℃
参数
非重复性峰值反向电压
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
峰值正向浪涌电流@ = 8.3ms的
重复峰值正向电流
功耗
环境
阻力
连接点
to
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
I
FRM
Pd
R
θJA
T
英镑
SOD-123
+
-
B5817W
20
20
14
B5818W
30
30
21
1
9
1.5
500
250
-65~+150
B5819W
40
40
28
单位
V
V
V
A
A
A
mW
℃/W
储存温度
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
除非
否则
特定网络版)
参数
反向击穿电压
符号
V
( BR )
TEST
I
R
= 1毫安
条件
B5817W
B5818W
B5819W
B5817W
B5818W
B5819W
I
F
=1A
I
F
=3A
I
F
=1A
I
F
=3A
I
F
=1A
I
F
=3A
20
30
40
最大
单位
V
反向电压漏电流
I
R
V
R
=20V
V
R
=30V
V
R
=40V
B5817W
B5818W
B5819W
1
0.45
0.75
0.55
0.875
0.6
0.9
120
mA
V
V
V
正向电压
V
F
二极管电容
C
D
V
R
= 4V , F = 1MHz的
pF
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05