BC846A ， B / BC847A ， B，C / BC848A ， B，C
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
BC846
BC847
BC848
集电极 - 发射极击穿电压
BC846
BC847
BC848
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
BC846
BC847
BC848
集电极截止电流
BC846
BC847
BC848
发射极截止电流
直流电流增益
BC846A,847A,848A
BC846B,847B,848B
BC847C,BC848C
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
h
FE
V
CE
= 5V,
I
C
= 2毫安
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
V
EBO
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 70 V，I
E
=0
V
CB
= 50 V，I
E
=0
V
CB
= 30 V，I
E
=0
V
CE
= 60 V，I
B
=0
V
CE
= 45 V，I
B
=0
V
CE
= 30 V，I
B
=0
V
EB
=5 V ,
I
C
=0
110
200
420
0.1
220
450
800
0.5
1.1
100
V
V
兆赫
0.1
0.1
V
首席执行官
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
CBO
I
C
= 10μA ，我
E
=0
符号
TEST
条件
民
80
50
30
65
45
30
6
V
V
V
典型值
最大
单位
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
f=
100MHz
V
CB
=10V,f=
1
兆赫
4.5
pF
２
金隅
半导体
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Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５
HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
