BC857S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BC857S
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内容描述：	多芯片晶体管（PNP） [Multi-Chip TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 334 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

BC857S

多芯片晶体管（PNP）

SOT-363

特点

功耗

: 300

mW(Tamb=25℃)

集电极电流

: -200

集电极 - 基极电压

（ BR ） CBO

: -50

工作和存储结温范围

英镑

： -55 ℃〜+ 150 ℃

标志： 3C

电气特性（除非另有说明，TA = 25 ℃ ）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

直流电流增益

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

CE(sat)(1)

集电极 - 发射极饱和电压

CE(sat)(2)

BE(1)

基射极电压

BE(2)

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

=-5V,I

=-10mA

=-5V,I

=-10mA,f=100MHz

=-10V,I

=0,f=1MHz

=-5V,I

=-0.2mA,

f=1kHZ,Rs=2KΩ,BW=200Hz

=-100mA,I

=-5mA

=-5V,I

=-2mA

-0.6

TEST

条件

民

-50

-45

-5

典型值

最大

单位

Ic=-10µA,I

Ic=-10mA,I

=-10µA,I

=-30V,I

=-5V,I

=-2mA

=-10mA,I

=-0.5mA

-15

125

630

-0.3

-0.65

-0.75

-0.82

200

3.5

2.5

兆赫

金隅

半导体

www.htsemi.com

日期：2011年/ 05

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