欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BCV47 参数 Datasheet PDF下载

BCV47图片预览
型号: BCV47
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 334 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
BCV47
晶体管( NPN )
特点
高集电极电流
高电流增益
标记: FG
SOT–23
1.基地
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
80
60
10
500
300
416
150
-55�½�+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
2.辐射源
3.收集
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
h
FE(4)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
80
60
10
0.1
0.1
2000
4000
10000
2000
1
1.5
170
3.5
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100µA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
C
=0.5A
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA
V
CE
=5V,I
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05