BCX7 0J ，K
晶体管（ NPN ）
SOT-23
特点
低电流
低电压
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记： BCX70J ： AJ ， BCX70K ： AK
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
45
45
5
200
250
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE1
直流电流增益
BCX70J
h
FE2
h
FE3
h
FE1
直流电流增益
BCX70K
h
FE2
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
V
BE
C
ob
NF
f
T
TEST
I
C
=10μA,I
E
=0
I
C
=2mA,I
B
=0
I
E
=1μA,I
C
=0
V
CE
=45V,V
BE
=0
V
CE
=5V,I
C
=10μA
V
CE
=5V,I
C
=2mA
V
CE
=1V,I
C
=50mA
V
CE
=5V,I
C
=10μA
V
CE
=5V,I
C
=2mA
V
CE
=1V,I
C
=50mA
I
C
= 10毫安我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50毫安我
B
= 1.25毫安
I
C
= 10毫安我
B
= -0.25毫安
I
C
= 50毫安我
B
= 1.25毫安
V
CE
=5V,I
C
=2mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
C
=200μA,
f=1KHz,BW=200Hz,RS=2KΩ
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安， F = 100 MHz的
100
250
30
250
90
100
380
100
0.05
0.1
0.6
0.7
0.55
1.7
6
0.35
0.55
0.85
1.05
0.75
V
V
V
V
V
pF
dB
兆赫
630
460
条件
民
45
45
5
20
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
基地发射极饱和电压
基射极电压
集电极输出电容
噪声系数
增益带宽积
１
金隅
半导体
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HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
