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BF622图片预览
型号: BF622
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 259 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
BF622
晶体管( NPN )
特点
低电流
高压
AAPLICATIONS
视频输出级
标记: DA
SOT-89-3L
1.基地
2.收集
3.辐射源
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
250
250
5
50
500
250
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
TEST
条件
250
250
5
10
50
50
0.6
60
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100µA,I
C
=0
V
CB
=200V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
= 20V ,我
C
=25mA
I
C
=30mA,I
B
=5mA
V
CE
=10V,I
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05