BF8 20 / 22 BF8
晶体管（ NPN ）
SOT-23
特点
低电流（ max.50毫安）
高电压（ max.300V ）
电话和专业的通讯设备。
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记： BF820 ： 1V ， BF822 ： 1X
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
BF820
BF822
BF820
BF822
价值
300
250
300
250
5
50
0.25
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
W
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
TEST
条件
BF820
BF822
BF820
BF822
民
300
250
300
250
5
0.01
0.05
50
0.6
60
1.6
V
兆赫
pF
最大
单位
V
V
V
I
C
=100
μ
A，I
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
μ
A，I
C
=0
V
CB
=200V,I
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 20V ，我
C
=25mA
I
C
=30mA,I
B
= 5毫安
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安，
f=
100MHz
V
CB
=30V,I
E
=0,f=1MHz
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５
HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
