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BSR43 参数 Datasheet PDF下载

BSR43图片预览
型号: BSR43
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 289 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
BRS43
晶体管( NPN )
特点
低电压
HIGH CURRENT
补充BSR33
AAPLICATIONS
厚和薄膜电路
电话和一般工业应用
标记: AR4
SOT-89-3L
1.基地
2.收集
3.辐射源
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
90
80
5
1
500
250
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
h
FE(3)
*
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
f
T
C
ob
C
ib
TEST
条件
90
80
5
100
100
30
100
50
0.25
0.5
1
1.2
100
12
90
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
300
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100µA,I
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=0.1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
I
C
=150mA,I
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
I
C
=150mA,I
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=10V,I
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
BE
= 0.5V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
发射极输入电容
*脉冲测试
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05