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BZX84C33 参数 Datasheet PDF下载

BZX84C33图片预览
型号: BZX84C33
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内容描述: 硅平面齐纳二极管 [SILICON PLANAR ZENER DIODES]
分类和应用: 二极管齐纳二极管测试光电二极管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 704 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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BZX84C…Series
电气特性
( T
a
= 25
O
C除非另有说明,V
F
< 0.9V于我
F
= 10 mA)的
TYPE
记号
CODE
A8
B8
C8
D8
E8
F8
H8
J8
K8
M8
N8
P8
R8
X8
Y8
Z8
A9
B9
C9
D9
E9
F9
H9
J9
K9
M9
N9
记号
CODE
P9
R9
X9
Y9
Z9
A0
B0
C0
D0
E0
F0
H0
V
Z1
(V)
@ I
ZT1
= 5毫安
1)
分钟。
1.8
2.08
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
喃。
2.0
2.2
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
V
Z1
下面
@ I
ZT1
= 2毫安
分钟。
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃。
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
马克斯。
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
马克斯。
2.15
2.33
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
Z
ZT1
(Ω)
@ I
ZT1
=
5毫安
100
100
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
Z
ZT1
下面
@ I
ZT1
=
2毫安
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
V
Z2
(V)
@ I
ZT2
= 1毫安
1)
分钟。
-
-
1.7
1.9
2.1
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
马克斯。
-
-
2.1
2.4
2.7
2.9
3.3
3.5
4
4.7
5.3
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
Z
ZT2
(Ω)
@ I
ZT2
=
1毫安
2)
-
-
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
Z
ZT2
下面
@ I
ZT4
=
0.5毫安
2)
300
300
325
350
350
375
375
400
425
450
475
500
V
Z3
(V)
@ I
ZT3
= 20毫安
1)
分钟。
-
-
2.6
3
3.3
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
马克斯。
-
-
3.2
3.6
3.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
Z
ZT3
(Ω)
@ I
ZT3
=
20毫安
-
-
50
50
50
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
Z
ZT3
下面
@ I
ZT3
=
10毫安
45
50
55
60
70
80
90
100
110
120
130
140
最大反向
漏电流
I
R
@
µA
120
120
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
V
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
BZX84C2V0
BZX84C2V2
BZX84C2V4
BZX84C2V7
BZX84C3V0
BZX84C3V3
BZX84C3V6
BZX84C3V9
BZX84C4V3
BZX84C4V7
BZX84C5V1
BZX84C5V6
BZX84C6V2
BZX84C6V8
BZX84C7V5
BZX84C8V2
BZX84C9V1
BZX84C10
BZX84C11
BZX84C12
BZX84C13
BZX84C15
BZX84C16
BZX84C18
BZX84C20
BZX84C22
BZX84C24
TYPE
V
Z2
下面
@ I
ZT2
- 0.1毫安
分钟。
25
27.8
30.8
33.8
36.7
39.7
43.7
47.6
51.5
57.4
63.4
69.4
马克斯。
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
V
Z3
下面
@ I
ZT3
= 10毫安
分钟。
25.2
28.1
31.1
34.1
37.1
40.1
44.1
48.1
52.1
58.2
64.2
70.3
马克斯。
29.3
32.4
35.4
38.4
41.5
46.5
50.5
54.6
60.8
67
73.2
80.2
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
µA
V
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
18.9
21
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
BZX84C27
BZX84C30
BZX84C33
BZX84C36
BZX84C39
BZX84C43
BZX84C47
BZX84C51
BZX84C56
BZX84C62
BZX84C68
BZX84C75
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
齐纳阻抗Z
ZT2
,为27至75伏的类型,在0.5毫安而不是0.1mA的测试电流采用V测试
Z2
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05