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    CXT5551 参数 Datasheet PDF下载

    CXT5551图片预览
    型号： CXT5551
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 2 页 / 639 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号CXT5551的Datasheet PDF文件第2页  
    CXT5551
    晶体管（ NPN ）
    SOT-89
    特点
    开关和放大高压
    应用，如电话
    低电流（最大600毫安）
    高电压（ max.180V ）
    标记： 1G6
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    1
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    180
    160
    6
    0.6
    0.5
    150
    -65-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    h
    FE(3)
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    NF
    TEST
    条件
    民
    180
    160
    6
    50
    50
    80
    80
    30
    0.15
    0.2
    1
    1
    100
    6
    8
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    dB
    300
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    I
    C
    = 100μ A，I
    E
    =0
    I
    C
    =1mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =10
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    =120V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =4V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =1mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =10mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =50mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =1mA
    I
    C
    =50mA,I
    B
    =5mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =1mA
    I
    C
    =50mA,I
    B
    =5mA
    V
    CE
    =10V,I
    C
    =10mA,f=100MHz
    V
    CB
    =10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    V
    CE
    =5V,I
    c
    =0.2mA,
    f=10Hzto15.7KHZ,Rs=10Ω
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    噪声系数
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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