EMB4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EMB4
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内容描述：	通用晶体管（双数字晶体管） [General purpose transistors (dual digital transistors)]
分类和应用：	晶体数字晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 306 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

EMB4

通用晶体管（双数字晶体管）

特点

两DTA114T芯片封装

标记： B4

(3)

(2)

(1)

SOT-563

等效电路

(4)

(5)

(6)

绝对最大额定值（T

=25℃)

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

参数

价值

-50

-5

-100

150

-55-150

单位

℃

电气特性（T

= 25 ℃除非另有规定）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

Intput性

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

TEST

= -50μA ，我

= -1mA ，我

= -50μA ，我

= -50V ，我

= -4V ，我

= -5V ，我

=-1mA

= -10mA ，我

=-1mA

= -10V ，我

= -5mA中，f = 100MHz的

250

100

条件

民

-50

-5

-0.5

600

-0.3

兆赫

Ω

典型值

最大

单位

μA

金隅

半导体

www.htsemi.com

日期：2011年/ 05

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