ES1M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ES1M
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内容描述：	1安培超快速恢复硅整流50到1000伏特 [1 Amp Super Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	3 页 / 426 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

ES1A通ES1M

•

特点

为

表面

安装应用

极低的热阻

方便取放

高温焊接： 250 ℃，10秒码头

超快恢复时间效率高

1安培超快速

恢复

硅整流

50到1000伏特

最大额定值

•

工作温度： -50 ° C至+ 150°C

存储温度： -50 ° C至+ 150°C

最大热阻; 15

° C / W

交界处领导

设备

最大

最大最大

记号

复发

RMS

数

反向峰值

电压

闭塞

电压

ES1A

50V

35V

50V

ES1B

100V

70V

100V

ES1C

150V

105V

150V

200V

140V

200V

ES1D

ES1G

400V

280V

400V

ES1J

600V

420V

600V

ES1K

800V

560V

800V

ES1M

1000V

700V

1000V

ES1M

平均正向

当前

峰值正向浪涌

当前

最大

瞬时

正向电压

ES1A-D

ES1G-K

ES1M

DO-214AC

（ SMAJ ）（高模式）

阴极带

电气特性@ 25 ° C除非另有说明

F（ AV ）

FSM

1.0A

30A

= 75°C

8.3ms的，半正弦

暗淡

尺寸

英寸

民

.078

.067

.002

---

.035

.065

.205

.160

.100

民

1.98

1.70

.05

---

.89

1.65

5.21

4.06

2.57

.975V

1.35V

1.60V

= 1.0A;

= 25°C*

= 25°C

= 100°C

最大

.116

.089

.008

.02

.055

.096

.224

.180

.112

最大

2.95

2.25

.20

.51

1.40

2.45

5.69

4.57

2.84

记

最大直流

反向电流

额定DC阻断

电压

最大反向

恢复时间

ES1A-D

ES1G-K

ES1M

5µA

100µA

建议焊料

焊盘布局

0.090”

50ns

60ns

100ns

典型结

电容

45pF

= 0.5A ，我

=1.0A,

=0.25A

在测

1.0MHz的，V

=4.0V

0.085”

0.070”

*脉冲测试：脉冲宽度200

微秒，

占空比2 ％

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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