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    FCX591 参数 Datasheet PDF下载

    FCX591图片预览
    型号： FCX591
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 327 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号FCX591的Datasheet PDF文件第2页  
    FCX591
    晶体管（ PNP ）
    SOT-89
    特点
    功耗
    1.基地
    2.收集
    1
    2
    3
    标记： P1
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    -80
    -60
    -5
    -1
    0.5
    150
    -65-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    3.辐射源
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    *
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    TEST
    条件
    民
    -80
    -60
    -5
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    100
    100
    80
    15
    300
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    μA
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -10mA ，
    I
    B
    =0
    I
    E
    = -100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -60 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =-4 V ,
    I
    C
    =0
    V
    CES
    = -60 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    =-5V,
    V
    CE
    =-5V,
    V
    CE
    =-5V,
    V
    CE
    =-5V,
    I
    C
    = -1mA
    I
    C
    = -500mA
    I
    C
    = -1A
    I
    C
    = -2A
    直流电流增益
    h
    FE
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    V
    BE
    *
    f
    T
    C
    ob
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    = -100mA
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    = -100mA
    V
    CE
    =-5V,
    I
    C
    = -1A
    150
    -0.3
    -0.6
    -1.2
    -1
    V
    V
    V
    兆赫
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = - 50毫安
    F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    10
    pF
    *脉冲宽度= 300秒。占空比2 ％
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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