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KSA1182 参数 Datasheet PDF下载

KSA1182图片预览
型号: KSA1182
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 456 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号KSA1182的Datasheet PDF文件第2页  
KSA1182
晶体管( PNP )
特点
补充KSC2859
1.基地
SOT-23
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-35
-30
-5
-0.5
150
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
2.辐射源
3.收集
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
除非
TEST
否则
特定网络版)
-35
-30
-5
-0.1
-0.1
70
25
-0.25
-1.0
200
13
V
V
兆赫
pF
240
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -35V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-400mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-20mA
V
CB
= -6V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类
范围
记号
h
FE(1)
O
70-140
F1O
Y
120-240
F1Y
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05