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    KTC4076 参数 Datasheet PDF下载

    KTC4076图片预览
    型号： KTC4076
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 480 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    KTC4076
    晶体管（ NPN ）
    特点
    优秀ħ
    FE
    线性
    补充KTA2015
    应用
    通用开关
    1.基地
    SOT–323
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    35
    30
    5
    500
    100
    1250
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    TEST
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 35V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =400mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    V
    CB
    =6V,I
    C
    = 20mA时，
    V
    CB
    = 6V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    300
    7
    70
    25
    0.25
    1
    V
    V
    兆赫
    pF
    条件
    民
    35
    30
    5
    0.1
    0.1
    240
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    分类
    h
    FE(1)
    , h
    FE(2)
    秩
    RANG
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    记号
    O
    70–140
    25Min
    WO
    Y
    120–240
    40Min
    WY
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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