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    KTC4379 参数 Datasheet PDF下载

    KTC4379图片预览
    型号： KTC4379
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 3 页 / 1034 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号KTC4379的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTC4379的Datasheet PDF文件第3页  
    KTC4379
    晶体管（ NPN ）
    特点
    低饱和电压
    高速开关时间
    补充KTA1666
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    50
    50
    5
    2
    500
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    SOT-89
    1.
    BASE
    2.
    集热器
    3.
    辐射源
    1
    2
    3
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    启动时间
    开关时间
    贮存时间
    下降时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    = 1A ，我
    B1
    =-I
    B2
    =-0.05A
    TEST
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 50V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =1.5A
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    120
    30
    0.1
    1.0
    0.1
    μs
    70
    40
    0.5
    1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    条件
    民
    50
    50
    5
    0.1
    0.1
    240
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    分类
    秩
    范围
    记号
    h
    FE(1)
    O
    70-140
    UO
    Y
    120-240
    UY
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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