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    M8050 参数 Datasheet PDF下载

    M8050图片预览
    型号： M8050
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 328 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号M8050的Datasheet PDF文件第2页  
    M8050
    晶体管（ NPN ）
    SOT-23
    特点
    功耗
    1.
    BASE
    标记： Y11
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    参数
    2.
    辐射源
    3.
    集热器
    价值
    40
    25
    6
    0.8
    0.2
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25
    ℃
    除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止
    当前
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    *
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    TEST
    条件
    民
    40
    25
    6
    0.1
    0.1
    45
    80
    40
    0.5
    1.2
    150
    V
    V
    兆赫
    300
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 35V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 20V ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =5mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =800mA
    I
    C
    = 800毫安，我
    B
    =80mA
    I
    C
    = 800毫安，我
    B
    = 80毫安
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 20mA时， F = 30MHz的
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    h
    FE
    （
    3
    ）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    f
    T
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤2%.
    分类
    秩
    范围
    h
    FE(2)
    L
    80-200
    H
    200-300
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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