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M8550 参数 Datasheet PDF下载

M8550图片预览
型号: M8550
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 600 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号M8550的Datasheet PDF文件第2页  
M8 550
晶体管( PNP )
特点
功耗
SOT-23
标记: Y21
1.
BASE
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-40
-25
-6
-0.8
200
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
2.
辐射源
3.
集热器
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
*
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
TEST
条件
-40
-25
-6
-0.1
-0.1
45
85
40
-0.5
-1.2
150
V
V
兆赫
300
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA,
V
CB
= -35V ,
V
CE
= -20V ,
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
h
FE(1)
直流电流增益
V
CE
= -1V ,我
C
=-5mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -20mA
f=30MHz
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
f
T
*
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
≤2%.
h
FE(2)
L
85-200
分类
范围
H
200-300
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05