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    MM1Z5242C 参数 Datasheet PDF下载

    MM1Z5242C图片预览
    型号： MM1Z5242C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面齐纳二极管 [SILICON PLANAR ZENER DIODES]
    分类和应用： 二极管齐纳二极管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 592 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MM1Z5242C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MM1Z5242C的Datasheet PDF文件第3页  
    MM1Z5231C~MM1Z5261C
    硅平面齐纳二极管
    钉扎
    特点
    •总功耗：最大。 500毫瓦
    •小型塑料封装，适合
    表面贴装设计
    •齐纳电压容差： ± 2 ％
    针
    1
    2
    1
    描述
    阴极
    阳极
    2
    顶视图
    简体外形SOD- 123和符号
    绝对最大额定值（T
    a
    = 25
    O
    C)
    参数
    功耗
    结温
    存储温度范围
    符号
    P
    合计
    T
    j
    T
    英镑
    价值
    500
    150
    - 55至+ 150
    单位
    mW
    O
    C
    C
    O
    特点在T
    a
    = 25
    O
    C
    参数
    热阻结到环境空气
    正向电压
    在我
    F
    = 10毫安
    记号
    CODE
    YN
    YO
    YP
    YQ
    YR
    YS
    YT
    YU
    YV
    YW
    YX
    YY
    YZ
    ZA
    ZB
    ZC
    ZD
    ZE
    ZF
    ZG
    ZH
    ZI
    ZJ
    ZK
    齐纳电压范围
    V
    ZT
    MIN 。 （V ）
    MAX 。 （V ）
    4.998
    5.202
    5.488
    5.712
    6.076
    6.324
    6.664
    6.936
    7.35
    7.65
    8.036
    8.364
    8.918
    9.282
    9.8
    10.2
    10.78
    11.22
    11.76
    12.24
    12.74
    13.26
    14.7
    15.3
    15.68
    16.32
    17.64
    18.36
    19.6
    20.4
    21.56
    22.44
    23.52
    24.48
    26.46
    27.54
    29.4
    30.6
    32.34
    33.66
    35.28
    36.72
    38.22
    39.78
    42.14
    43.86
    46.06
    47.94
    1)
    符号
    R
    θJA
    V
    F
    马克斯。
    350
    0.9
    单位
    O
    C / W
    V
    TYPE
    MM1Z5231C
    MM1Z5232C
    MM1Z5234C
    MM1Z5235C
    MM1Z5236C
    MM1Z5237C
    MM1Z5239C
    MM1Z5240C
    MM1Z5241C
    MM1Z5242C
    MM1Z5243C
    MM1Z5245C
    MM1Z5246C
    MM1Z5248C
    MM1Z5250C
    MM1Z5251C
    MM1Z5252C
    MM1Z5254C
    MM1Z5256C
    MM1Z5257C
    MM1Z5258C
    MM1Z5259C
    MM1Z5260C
    MM1Z5261C
    1)
    V
    ZNOM
    V
    5.1
    5.6
    6.2
    6.8
    7.5
    8.2
    9.1
    10
    11
    12
    13
    15
    16
    18
    20
    22
    24
    27
    30
    33
    36
    39
    43
    47
    在我
    ZT
    mA
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    20
    9.5
    8.5
    7.8
    7
    6.2
    5.6
    5.2
    4.6
    4.2
    3.8
    3.4
    3.2
    3
    2.7
    动态阻抗
    Z
    ZT
    在我
    ZT
    Z
    ZK
    最大。 （ Ω ）
    mA
    最大。 （ Ω ）
    17
    20
    1600
    11
    20
    1600
    7
    20
    1000
    5
    20
    750
    6
    20
    500
    8
    20
    500
    10
    20
    600
    17
    20
    600
    22
    20
    600
    30
    20
    600
    13
    9.5
    600
    16
    8.5
    600
    17
    7.8
    600
    21
    7
    600
    25
    6.2
    600
    29
    5.6
    600
    33
    5.2
    600
    41
    4.6
    600
    49
    4.2
    600
    58
    3.8
    700
    70
    3.4
    700
    80
    3.2
    800
    93
    3
    900
    105
    2.7
    1000
    在我
    ZK
    mA
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    0.25
    反向电流
    I
    R
    在V
    R
    MAX 。 （ μA ）
    V
    5
    2
    5
    3
    5
    4
    3
    5
    3
    6
    3
    6.5
    3
    7
    3
    8
    2
    8.4
    1
    9.1
    0.5
    9.9
    0.1
    11
    0.1
    12
    0.1
    14
    0.1
    15
    0.1
    17
    0.1
    18
    0.1
    21
    0.1
    23
    0.1
    25
    0.1
    27
    0.1
    30
    0.1
    33
    0.1
    36
    V
    Z
    与脉冲测试（ 20毫秒）
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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