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    MM3Z3V6B 参数 Datasheet PDF下载

    MM3Z3V6B图片预览
    型号： MM3Z3V6B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面齐纳二极管 [Silicon Planar Zener Diodes]
    分类和应用： 二极管齐纳二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 667 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MM3Z3V6B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MM3Z3V6B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MM3Z3V6B的Datasheet PDF文件第4页  
    MM3Z2V2B~MM3Z39B
    特点在T
    a
    = 25
    O
    C
    齐纳电压范围
    1)
    TYPE
    记号
    CODE
    V
    ZNOM
    V
    MM3Z2V2B
    MF
    2.2
    MM3Z2V4B
    7C
    2.4
    MM3Z2V7B
    7D
    2.7
    MM3Z3V0B
    7E
    3.0
    MM3Z3V3B
    7F
    3.3
    MM3Z3V6B
    7H
    3.6
    MM3Z3V9B
    7J
    3.9
    MM3Z4V3B
    7K
    4.3
    MM3Z4V7B
    7M
    4.7
    MM3Z5V1B
    7N
    5.1
    MM3Z5V6B
    7P
    5.6
    MM3Z6V2B
    7R
    6.2
    MM3Z6V8B
    7X
    6.8
    MM3Z7V5B
    7Y
    7.5
    MM3Z8V2B
    7Z
    8.2
    MM3Z9V1B
    8A
    9.1
    MM3Z10B
    8B
    10
    MM3Z11B
    8C
    11
    MM3Z12B
    8D
    12
    MM3Z13B
    8E
    13
    MM3Z15B
    8F
    15
    MM3Z16B
    8H
    16
    MM3Z18B
    8J
    18
    MM3Z20B
    8K
    20
    MM3Z22B
    8M
    22
    MM3Z24B
    8N
    24
    MM3Z27B
    8P
    27
    MM3Z30B
    8R
    30
    MM3Z33B
    8X
    33
    MM3Z36B
    8Y
    36
    MM3Z39B
    8Z
    39
    1)
    V
    Z
    用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
    l
    ZT
    mA
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    为
    V
    ZT
    V
    2.1...2.4
    2.3…2.65
    2.65…2.95
    2.95…3.25
    3.25…3.55
    3.6…3.845
    3.89…4.16
    4.17…4.43
    4.55…4.75
    4.98…5.2
    5.49…5.73
    6.06…6.33
    6.65…6.93
    7.28…7.6
    8.02…8.36
    8.85…9.23
    9.77…10.21
    10.76…11.22
    11.74…12.24
    12.91…13.49
    14.34…14.98
    15.85…16.51
    17.56…18.35
    19.52…20.39
    21.54…22.47
    23.72…24.78
    26.19…27.53
    29.19…30.69
    32.15…33.79
    35.07…36.87
    37…41
    动态阻抗
    Z
    ZT
    （ MAX 。 ）
    Ω
    100
    100
    110
    120
    120
    100
    100
    100
    100
    80
    60
    60
    40
    30
    30
    30
    30
    30
    30
    37
    42
    50
    65
    85
    100
    120
    150
    200
    250
    300
    100
    在我
    ZT
    mA
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    反向漏电流
    I
    R
    （ MAX 。 ）
    μA
    120
    120
    120
    50
    20
    10
    5
    5
    2
    2
    1
    1
    0.5
    0.5
    0.5
    0.5
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    2
    在V
    R
    V
    0.7
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1.5
    2.5
    3
    3.5
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    15
    17
    19
    21
    23
    25
    27
    30
    ２
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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