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    MMBT2907A 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2907A图片预览
    型号： MMBT2907A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： TRANSISTPR （ PNP ） [TRANSISTPR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 430 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBT2907A的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBT2907A
    TRANSISTPR （ PNP ）
    SOT-23
    特点
    外延平面片建设
    互补NPN类型可用（ MMBT2222A ）
    1.基地
    2.辐射源
    标记： 2F
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    R
    θJA
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    价值
    -60
    -60
    -5
    -600
    250
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    3.收集
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    器件总功耗
    热阻结到环境
    结温
    储存温度
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    底座截止电流
    集电极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO *
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CEX
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    直流电流增益
    h
    FE(3)
    h
    FE(4)
    h
    FE(5)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    *脉冲测试：吨
    p
    ≤300μS, δ≤0.02.
    V
    CE （SAT） *
    V
    CE （SAT） *
    V
    BE （SAT） *
    V
    BE （SAT） *
    f
    T
    t
    d
    t
    r
    t
    S
    t
    f
    V
    CE
    =-30V,I
    C
    =-150mA,
    B1
    =-15mA
    V
    CE
    =-6V,I
    C
    =-150mA,
    I
    B1
    =- I
    B2
    = - 15毫安
    TEST
    条件
    民
    -60
    -60
    -5
    -20
    -10
    -50
    100
    75
    100
    100
    50
    -0.4
    -1.6
    -1.3
    -2.6
    200
    10
    25
    225
    60
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    nS
    nS
    nS
    nS
    300
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    I
    C
    =-10μA,I
    E
    =0
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =-10μA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =-50V,I
    E
    =0
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    =-30 V, V
    BE （OFF）的
    =-0.5V
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    =-150mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    =-0.1mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    =-1mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    =-10mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    =-500mA
    I
    C
    =-150mA,I
    B
    =-15mA
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-50mA
    I
    C
    =-150mA,I
    B
    =-15mA
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-50mA
    V
    CE
    =-20V,I
    C
    =-50mA,f=100MHz
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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