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    MMBT2222 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222图片预览
    型号： MMBT2222
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 605 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    MMBT2222
    晶体管（ NPN ）
    SOT–23
    特点
    Genernal用途放大器
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    75
    30
    6
    600
    250
    500
    150
    -55�½�+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CEX
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    *
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    *
    h
    FE(3)
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CE(sat)1
    *
    V
    CE(sat)2
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    f
    T
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    TEST
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    =30V, V
    BE （OFF）的
    =3V
    V
    EB
    = 3V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =150mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =0.1mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =500mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    V
    CE
    =20V,I
    C
    = 20mA时， F = 100MHz的
    V
    CC
    =30V, V
    BE （OFF）的
    = -0.5V我
    C
    =150mA,
    I
    B1
    =15mA
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = I
    B2
    =15mA
    300
    10
    25
    225
    60
    100
    40
    42
    1
    0.3
    1.2
    V
    V
    V
    兆赫
    ns
    ns
    ns
    ns
    条件
    民
    75
    30
    6
    10
    10
    0.1
    300
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    µA
    *脉冲测试：脉冲宽度≤300μs ，值班cycle≤ 2.0 ％ 。
    分类
    h
    FE(1)
    秩
    范围
    记号
    L
    100–200
    M1B
    H
    200–300
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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