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    MMBT589 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT589图片预览
    型号： MMBT589
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 855 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号MMBT589的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBT58 9
    晶体管（ PNP ）
    特点
    高电流表面贴装PNP硅开关晶体管
    负荷管理便携式应用
    1.基地
    SOT-23
    标记： 589
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    热阻，结到环境
    结温
    储存温度
    价值
    -50
    -30
    -5
    -1
    310
    403
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    2.辐射源
    3.收集
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    I
    EBO
    h
    FE1
    直流电流增益
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    V
    CE(sat)1
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    CE(sat)2
    V
    CE(sat)3
    基射极饱和电压
    基射极导通电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    f
    T
    COB
    TEST
    I
    C
    =-100μA,I
    E
    =0
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =-100μA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =-30V,I
    E
    =0
    V
    CES
    =-30V
    V
    EB
    =-4V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-1mA
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-500mA
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-1A
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-2A
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-200mA
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-1A
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -100mA ，
    F = 100MHz的
    f=1MHz
    100
    15
    100
    100
    80
    40
    -0.25
    -0.3
    -0.65
    -1.2
    -1.1
    V
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    300
    条件
    民
    -50
    -30
    -5
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    μA
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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